سامسونگ نسخه‌ی جدید رم ۱۶ گیگابایتی DDR5 خود را معرفی کرده است. رم جدید مبتنی‌بر لیتوگرافی ۱۲ نانومتری است؛ در‌حالی‌که رم ۱۶ گیگابایتی DDR5 فعلی بازار از لیتوگرافی ۱۴ نانومتری استفاده می‌کند. به‌گفته‌ی سامسونگ، رم جدید با قطعات سخت‌افزاری AMD سازگار و به‌طور‌ویژه برای پردازنده‌های سری رایزن بهینه شده است.
رم ۱۲ نانومتری DDR5
سامسونگ می‌گوید در تلاش است ازطریق رم‌های مدرن و پرسرعت، میزان استفاده از استاندارد DDR5 را در صنعت افزایش دهد. رم DDR5 سامسونگ با بهره‌گیری از مواد جدیدی ساخته شده است که ظرفیت سلول‌ها را افزایش می‌دهند.
DRAM جدید سامسونگ مبتنی‌بر لیتوگرافی EUV است و به‌لطف این فناوری، به تراکم بیشتری از ترانزیستورها دست پیدا می‌کند. EUV باعث می‌شود بهره‌وری ویفر تراشه ۲۰ درصد بهبود یابد. ناگفته نماند مصرف انرژی رم جدید ۲۳ درصد کمتر از مدل قبلی است. اولین حافظه‌های مبتنی‌بر ماژول جدید سامسونگ در سال ۲۰۲۳ روانه‌ی بازار خواهند شد.
